特許

J-GLOBAL ID：200903041047881688

多層ガラスセラミツク基板

発明者： 嶋田 勇三 ,  生稲 一洋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-242307
公開番号（公開出願番号）：特開平5-058720
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月09日
要約：

【要約】【目的】 高密度微細配線で、しかも高速化が期待できる低温焼結性で機械的強度の優れた多層ガラスセラミック基板を提供する。【構成】 内層に導体を含む多層ガラスセラミック基板のガラスセラミック層を、酸化物換算表記で、酸化アルミニウム30〜60重量%、二酸化ケイ素20〜50重量%、酸化カルシウム4.5〜15重量%、酸化ホウ素3〜15重量%、I族元素酸化物0〜5重量%、II族元素(但しCaは除く。)酸化物0〜5重量%、IV族元素(但しC,Si,Pbは除く。)酸化物0〜5重量%の組成範囲で総量100%になる材料で構成し、かつアノ-サイト結晶を含むものとする。

請求項（抜粋）：

ガラスセラミック層がアノ-サイト結晶を含み、かつ酸化物換算表記に従ったとき、酸化アルミニウム30〜60重量%、二酸化ケイ素20〜50重量%、酸化カルシウム4.5〜15重量%、酸化ホウ素3〜15重量%、I族元素酸化物0〜5重量%、II族元素(但し、カルシウムは除く。)酸化物0〜5重量%、IV族元素(但し、炭素、ケイ素、鉛は除く。)酸化物0〜5重量%の組成範囲で総量100%となるように選んだ組成物で構成され、複数の導体層を前記ガラスセラミック層を介して積層したことを特徴とする多層ガラスセラミック基板。

IPC (3件)：

C04B 35/16 ,  C04B 35/10 ,  H05K 1/03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-044060