特許
J-GLOBAL ID：200903041050180887
アクティブデバイス及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-051243
公開番号（公開出願番号）：特開平5-232516
出願日： 1991年03月15日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的とするところは、アクティブデバイスの薄膜積層構造に関し、特に薄膜間の接着力を向上させ、寿命及び信頼性を向上させたデバイスを提供するにある。【構成】本発明は、硝子基板上に形成された第1配線層、前記第1配線層上に形成されたカップリング剤と強誘電体の混合物から成る接着層、前記接着層上に形成された強誘電体層、前記強誘電体層上に形成された第2配線層を有する事を特徴とする、アクティブデバイス。?@硝子基板上に第1配線層を形成する工程、?A前記第1配線層上にカップリング剤と強誘電体の混合物から成る接着層を設け、前記接着層を前記強誘電体のキュリー点以上に加熱し冷却する工程、?B前記接着層上に強誘電体層を形成する工程、?C前記強誘電体層上に第2配線層を形成する工程を少なくとも含む事を特徴とするアクティブデバイスの製造方法。
請求項（抜粋）：
硝子基板上に形成された第1配線層、前記第1配線層上に形成されたカップリング剤と強誘電体の混合物から成る接着層、前記接着層上に形成された強誘電体層、前記強誘電体層上に形成された第2配線層を有する事を特徴とする、アクティブデバイス。
IPC (2件)：
G02F 1/136 505
, G02F 1/133 550
