特許
J-GLOBAL ID:200903041051059585
芳香族酸阻害剤を含むフォトレジスト除去剤/洗浄液
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
木村 高久
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-530926
公開番号(公開出願番号):特表2004-510204
出願日: 2001年09月18日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
半導体及びマイクロ回路の製造中に金属及び誘電体表面から残渣を除去するための除去及び洗浄組成物。本組成物は選択された芳香族カルボン酸のグループからの腐食阻害剤を有効阻害量で含む有機極性溶媒を含む水性系である。金属及び誘電体表面から残渣を除去する本発明の方法は当該金属及び誘電体表面を上記の阻害組成物と残渣の除去に十分な時間接触させる工程を含む。
請求項(抜粋):
金属、合金又は誘電体表面からの残渣除去用の酸性又は塩基性の除去及び洗浄組成物であって、水及び有機極性溶媒を含む前記組成物において、
前記組成物が安息香酸、安息香酸アンモニウム、フタル酸、無水フタル酸、イソフタル酸及びこれらの混合物からなる群から選択される芳香族カルボン酸腐食阻害剤の有効量を有し、
前記組成物が酸化剤を含まない
ことを含む組成物の改良。
IPC (4件):
G03F7/42
, B08B3/08
, H01L21/027
, H01L21/304
FI (4件):
G03F7/42
, B08B3/08 Z
, H01L21/304 647B
, H01L21/30 572B
Fターム (7件):
2H096AA25
, 2H096LA03
, 3B201AA02
, 3B201AA03
, 3B201BB02
, 3B201BB92
, 5F046MA02
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