特許
J-GLOBAL ID:200903041052087582
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-405911
公開番号(公開出願番号):特開2005-167075
出願日: 2003年12月04日
公開日(公表日): 2005年06月23日
要約:
【課題】 主表面に温度センスダイオードを有する縦型パワー素子の表裏の主面に金属体を電気的・熱的に接続してなる樹脂モールドタイプの半導体装置において、半導体素子の主表面側と金属体とを接合する導電性接合部材にクラックが発生しても、温度センスダイオードの動作不良を極力防止する。【解決手段】 主表面側に複数個のセルブロックを有する半導体チップ10の両主面には、それぞれ第1〜第3の導電性接合部材51、52、53を介して、第1、第2、第3の金属体20、30、40が接合され、これらが樹脂80でモールドされてなる半導体装置S1において、半導体チップ10の主表面に設けられた温度センスダイオード11は、半導体チップ10の主表面の中央部に配置されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有するとともに前記主表面側に温度検出用の温度センスダイオード(11)を有する半導体素子(10)と、
前記半導体素子(10)の主裏面の主電極に第1の導電性接合部材(51)を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第1の金属体(20)と、
前記半導体素子(10)の主表面の主電極に第2の導電性接合部材(52)を介して接合された第2の金属体(40)と、
前記第2の金属体(40)における前記半導体素子(10)側の面とは反対側の面に第3の導電性接合部材(53)を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第3の金属体(30)と、を備え、
装置のほぼ全体が樹脂(80)でモールドされてなる半導体装置において、
前記温度センスダイオード(11)は、前記半導体素子(10)の主表面の中央部に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L21/822
, H01L23/48
, H01L27/04
FI (2件):
H01L27/04 A
, H01L23/48 G
Fターム (6件):
5F038AZ08
, 5F038CA02
, 5F038CA08
, 5F038CA16
, 5F038DF14
, 5F038EZ20
引用特許:
出願人引用 (1件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-196140
出願人:株式会社デンソー
審査官引用 (4件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-211588
出願人:松下電子工業株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-312033
出願人:株式会社デンソー
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温度補償回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-243146
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-196140
出願人:株式会社デンソー
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