特許
J-GLOBAL ID：200903041054137285
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316606
公開番号（公開出願番号）：特開平7-170024
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】放熱性にすぐれた小型化が容易な半導体レーザ装置が、安価に製造される。【構成】ステム11と一体になったヒートシンク12に半導体レーザー素子13がマウントされており、ステム11に取り付けられたキャップ18によって覆われている。キャップ18の上面には開口部18aが設けられており、キャップ18内には流体材料20がこの開口部18aから充填されている。開口部18aは、ガラス板19によって閉塞されている。
請求項（抜粋）：
基材上に配置された半導体素子と、この半導体素子を覆うように基材に取り付けられたキャップと、このキャップ内に充填されて封止された流体材料と、を有し、前記キャップに流体材料の充填のための開口部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
