特許

J-GLOBAL ID：200903041054399263

半導体記憶装置

発明者： 中井 弘人 ,  浅野 正通 ,  加藤 秀雄 ,  徳重 芳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068961
公開番号（公開出願番号）：特開平5-274891
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【構成】本発明の半導体記憶装置は、選択された行が切り換ると第1の所定の列から順次前記データレジスタの内容が外部に出力される第1のモードと、選択された行が切り換ると第2の所定の列から順次前記データレジスタの内容が外部に出力される第2のモードとを具備する。【効果】本発明の半導体記憶装置は、ページ内の第一の所定カラムアドレスからそのページの最終アドレスまでのデータを連続したページについて読み出せるとともに、ページ内の第二の所定カラムアドレスからそのページの最終アドレスまでのデータを連続したページについて読み出すことが可能である。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配列された複数のメモリセルと各列に対してデータを一時的に格納するデータレジスタとを有し、前記メモリセルの内の選択した行に並ぶページデータを前記データレジスタに格納し、前記データレジスタ内のデータを順次外部に出力するページ読みだしモードを備える半導体記憶装置において、選択された行が切り換ると第1の所定の列から順次前記データレジスタの内容が外部に出力される第1のモードと、選択された行が切り換ると第2の所定の列から順次前記データレジスタの内容が外部に出力される第2のモードとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。