半導体基板用研磨布のドレッシング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040112
公開番号（公開出願番号）：特開平10-217104
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月18日
要約：

【要約】【課題】研磨布表面の目詰まりを確実に除去できるようにするとともに、研磨布表面に傷が入るのを抑制する。【解決手段】半導体基板を機械的化学的研磨する研磨布の目詰まりや異物除去を行う半導体基板用研磨布のドレッシング方法において、フッ酸水溶液を用いることにより、研磨布30の目詰まりの要因となっているSiO2の粒子80を化学的に溶解させるようにすることにより、前記研磨布30の目詰まりを確実に除去できるようにするとともに、機械的研磨行う際に、前記研磨布30への接触圧を高くしなくても済むようにして、前記研磨布30に傷が発生するのを防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を機械的化学的研磨するために用いる研磨布の目詰まりや異物除去を行う半導体基板用研磨布のドレッシング方法において、フッ酸水溶液を用いて前記研磨布をドレッシングすることを特徴とする半導体基板用研磨布のドレッシング方法。

IPC (2件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 321

FI (2件)：

B24B 37/00 A , H01L 21/304 321 A

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