特許
J-GLOBAL ID:200903041066440986

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井ノ口 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-083259
公開番号(公開出願番号):特開平5-251609
出願日: 1992年03月05日
公開日(公表日): 1993年09月28日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子をリードフレームで支持し樹脂封止してなる半導体装置において、半導体素子が発生する熱の放散特性を向上させる。【構成】 アイランド1と内部リード4先端との一定の間隔に高熱伝導性物質8を配置してある。半導体素子5が発生する熱はこの高熱伝導性物質8を介して内部リード4に伝達し、熱放散特性を向上できる。
請求項(抜粋):
半導体素子搭載用アイランドを吊りリードで支持し、前記アイランドの側端と一定の間隔をとって多数の内部リードを対面配置させ、前記アイランドに搭載した半導体素子の電極パッドと前記内部リードとの間をワイヤでボンディッグして電気接続し、前記半導体素子および内部リード部分を樹脂封止してなる樹脂封止形半導体装置において、前記アイランドと前記内部リードとの間の一定の間隔部分に前記封止樹脂より熱伝導率の高い物質を配置したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/36
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平3-190264
  • 特公昭49-014790
  • 特開平3-190264
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