特許
J-GLOBAL ID:200903041075558124

EL素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-260637
公開番号(公開出願番号):特開平11-102785
出願日: 1997年09月25日
公開日(公表日): 1999年04月13日
要約:
【要約】【課題】 発光輝度が低い領域において印加電圧に対する発光輝度の増加率を小さくする。【解決手段】 第1電極2と第2電極7とで挟まれた1つの発光領域内で、発光層4の膜厚を変化させ、膜厚の薄い領域41と膜厚が厚い領域42を有するようにした。膜厚の薄い領域41では、膜厚が厚い領域42に比べて発光開始電圧が低くなり、印加電圧を上昇させていくと、まず膜厚の薄い領域41が発光し、その後、膜厚の薄い領域41と膜厚が厚い領域42が発光する。従って、1つの発光領域全体として見た場合、印加電圧に対する発光輝度の立ち上がり(増加率)を小さくすることができる。このことによって、発光輝度の低い領域での階調を容易に行うことができる。
請求項(抜粋):
第1電極(2)と第2電極(7)の間に発光層(4)を備えてなるEL素子において、前記第1電極(2)と前記第2電極(7)とで挟まれた1つの発光領域内で、前記発光層(4)が、膜厚の薄い領域(41)と膜厚が厚い領域(42)を有していることを特徴とするEL素子。

前のページに戻る