特許
J-GLOBAL ID：200903041078248754
半導体集積回路のヒューズ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-108911
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307389
出願日： 1995年05月08日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 小型で集積性に優れ、信頼性の高いヒューズ素子を提供する。【構成】 電流源10から電流を受ける電気容断可能なヒューズFiと、ヒューズFiを介して流れる電流を接地へ流すバイポーラトランジスタBTiと、ヒューズ切断動作でトランジスタBTiのベース-エミッタ間に順方向バイアスを提供するヒューズ選択用のMOSトランジスタSTiと、トランジスタBTiに対し並列接続され、記憶したデータの読取り時に選択的にONする読取用のMOSトランジスタRTiと、を備えたヒューズ素子とする。バイポーラトランジスタの電流増幅作用により、コレクタ端子を通じて接地へ流れる電流はトランジスタSTiを通じて流れるベース電流より多くなる。従ってトランジスタSTiを小さくしても十分大きな切断電流を流すことができる。データ読取動作ではトランジスタSTiはOFF、トランジスタRTiは選択的にONとされる。
請求項（抜粋）：
電流を流すことで選択的に電気的切断可能とされ、その電気的切断状態により所定のデータを記憶するヒューズ素子であって、電流源から電流を受ける電気容断可能なヒューズと、該ヒューズを介して流れる電流をコレクタ-エミッタ間を通じて接地へ流すバイポーラトランジスタと、該バイポーラトランジスタのベース-エミッタ間にチャネルを介して順方向バイアスを提供するMOSトランジスタと、を備えてなることを特徴とするヒューズ素子。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開平2-065255
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特開平2-206172
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特開昭58-017663
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