バンプの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303763
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162456
出願日： 1994年12月07日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】バンプを形成する際にUBMの形成工程を省略し、コストおよび時間を節約することができるバンプの製造方法の提供。【構成】ウエハーの表面全面に、バンプとの密着性を有し、かつ反射防止膜となる層を最表層に有する配線層を形成し、配線層をパターニングして、ウエハー上に形成されるLSIチップ毎に少なくともパッドを形成するとともに、スクライブライン上およびこのスクライブラインとパッドとの間に配線を形成し、スクライブライン上の配線を介して、ウエハー上の全てのLSIチップの全てのパッドを電気的に接続し、ウエハーの表面全面にパッシベーション膜を形成し、続いて、パッシベーション膜をパターニングして、少なくとも全てのパッドを露出させ、ウエハーの表面全面にフォトレジストを形成した後、フォトレジストをパターニングして、全てのパッドを露出させ、スクライブライン上の配線を介して全てのパッドに電気を供給し、電解メッキ法により全てのパッド上にバンプを形成した後、フォトレジストを除去することにより、上記目的を達成する。

請求項（抜粋）：

ウエハーの表面全面に、バンプとの密着性を有し、かつ反射防止膜となる層を最表層に有する配線層を形成し、続いて、この配線層をパターニングして、前記ウエハー上に形成されるLSIチップ毎に少なくともパッドを形成するとともに、スクライブライン上およびこのスクライブラインと前記パッドとの間に配線を形成し、このスクライブライン上の配線を介して、前記ウエハー上の全てのLSIチップの全てのパッドを電気的に接続し、次いで、前記ウエハーの表面全面にパッシベーション膜を形成し、続いて、このパッシベーション膜をパターニングして、少なくとも前記全てのパッドを露出させ、前記ウエハーの表面全面にフォトレジストを形成した後、このフォトレジストをパターニングして、前記全てのパッドを露出させ、前記スクライブライン上の配線を介して前記全てのパッドに電気を供給し、電解メッキ法により前記全てのパッド上にバンプを形成した後、前記フォトレジストを除去することを特徴とするバンプの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/92 604 B , H01L 21/78 L , H01L 21/92 604 Z

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