特許

J-GLOBAL ID：200903041079325183

積層構造電極及びその製造方法

発明者： 川合 耕二郎
出願人/特許権者： 東京タングステン株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065753
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261660
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 レアメタルであるMoの使用量を減らして全体のコストを下げ,且つ高耐圧性と高信頼性を維持したMo電極の代用として汎用的に使用できる積層構造電極とその製造方法とを提供すること。【解決手段】 積層構造電極7は,Mo層とCu層を交互に積層した積層体であって,前記積層体は,両端が同一の厚さのMo層で形成され,前記積層体を構成する各層12,14は,ろう材21を用いて接合されている。

請求項（抜粋）：

Mo層とCu層を交互に積層した積層体であって,前記積層体は,積層方向両端が同一の厚さのMo層に形成され,前記積層体を構成する各層は,ろう材を用いて接合されていることを特徴とする積層構造電極。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/52 J ,  H01L 21/60 311 S