特許
J-GLOBAL ID:200903041080942560
3次元形状を有する半導体部材を加工する方法およびこの方法を用いて形成されたトランジスタ
発明者:
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-090610
公開番号(公開出願番号):特開2007-266392
出願日: 2006年03月29日
公開日(公表日): 2007年10月11日
要約:
【課題】3次元形状を有する半導体部材を可及的に安価に加工することを可能にする。【解決手段】突起部を有する半導体部材上にプラトー部を形成する工程と、上記プラトー部に、自己組織化材料またはその溶液を選択的に塗布し、自己組織化材料膜を形成する工程と、上記自己組織化材料膜に潜像を自己組織的に作成する工程と、上記潜像をエッチングによって現像し自己組織化材料膜のパターンを形成する工程と、前記パターンをマスクとして前記半導体部材を加工する工程と、を備えている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
突起部を有する半導体部材上にプラトー部を形成する工程と、
前記プラトー部に、自己組織化材料またはその溶液を選択的に塗布し、自己組織化材料膜を形成する工程と、
前記自己組織化材料膜に潜像を自己組織的に作成する工程と、
前記潜像をエッチングによって現像し自己組織化材料膜のパターンを形成する工程と、
前記パターンをマスクとして前記半導体部材を加工する工程と、
を備えたことを特徴とする3次元形状を有する半導体部材を加工する方法。
IPC (3件):
H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 21/336
FI (4件):
H01L29/78 301G
, H01L29/06 601B
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 653B
Fターム (13件):
4D075AB03
, 4D075DC22
, 5F140AA00
, 5F140AA39
, 5F140BA01
, 5F140BB05
, 5F140BF42
, 5F140BF47
, 5F140BH13
, 5F140BJ25
, 5F140BK13
, 5F140CE02
, 5F140CE07
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
加工方法及び成形体
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-358296
出願人:株式会社東芝
審査官引用 (13件)
全件表示
前のページに戻る