特許
J-GLOBAL ID：200903041081495533
発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-141641
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193275
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】発光出力が高く、安価でかつ製造が容易な発光ダイオードを提供する。【構成】発光部を構成するダブルヘテロ構造のエピタキシャル層がメサ部9で基板2と接合され、エピタキシャル層3,4,5と基板2との間にメサ部9を介在させた空洞層10を形成した発光ダイオード1である。空洞層10には樹脂を注入してもよい。この発光ダイオード1の製造方法は、基板2に高混晶比のAlGaAs層を犠牲層12として成長させ、この犠牲層12の上にメサ部9と接合させた状態でエピタキシャル層3,4,5を成長させた後、犠牲層12を溶解除去して空洞層10を形成する。この空洞層10または空洞層10に注入された樹脂とクラッド層3の界面で光が反射し、発光出力が向上する。基板用としての高AlAs混晶比の厚膜AlGaAs層が不要で、製造も容易となり、かつ特性が均一化する。
請求項（抜粋）：
発光部を構成する複数のエピタキシャル層が基板上に形成された発光ダイオードにおいて、前記基板の表面に凸状のメサ部を有し、この凸状のメサ部で前記エピタキシャル層が前記基板に部分的に接合され、前記メサ部を除く前記基板とエピタキシャル層との間に空洞層が形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
引用特許：
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