特許
J-GLOBAL ID：200903041085842718
プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233357
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084851
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、エッチング特性を最良の状態に保ってプラズマエッチングすることができるように改良されたプラズマエッチング方法を得ることを最も主な特徴とする。【構成】 半導体ウェハを収容するプラズマ処理室3内をクリーニングする。クリーニング直後に、プラズマ処理室3内で、被エッチング物と同じ特性を有するダミーウェハ7をプラズマエッチングし、それによって、エッチング特性の安定状態を達成する。エッチング特性の安定状態が達成されたプラズマ処理室3内で、半導体ウェハ12上の被エッチング物をプラズマエッチングする。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上の被エッチング物をプラズマエッチングする方法であって、前記半導体ウェハを収容するプラズマ処理室内をクリーニングする工程と、前記クリーニング直後に、前記プラズマ処理室内で、前記被エッチング物と同じ特性を有するダミーウェハをプラズマエッチングし、それによって、エッチング特性の安定状態を達成する工程と、前記エッチング特性の安定状態が達成された前記プラズマ処理室内で、前記半導体ウェハ上の前記被エッチング物をプラズマエッチングする工程と、を備えたプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
