特許
J-GLOBAL ID：200903041089541798
半導体膜厚測定装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109798
公開番号（公開出願番号）：特開平5-302816
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】 フーリエ分光法を応用した非破壊,非接触半導体膜厚測定装置の薄膜測定限界を向上する。【構成】 フーリエ分光器の構成要素である光検知器,ビーム・スプリッタ及び光源の各部材において、有特性波数範囲が一部分共通な複数の部材を用いて上記光検知器又はビーム・スプリッタ又は光源を複合化し、例えば、MCT検知器31とSi検知器32の2種類の光検知器を用い、これら検知器に、ビーム・スプリッタ30にて集光鏡22からの反射干渉光を2つのビームに分割して入射させる。
請求項（抜粋）：
測定光を出射する光源と、該光源からの出射光を時間的に変調された干渉光として出射する干渉計、及び前記干渉光を、基板上に少なくとも1層以上の積層膜を有する測定試料に導くための光透過部材を含む光学系と、上記試料の積層膜からの反射干渉光を受光する受光部とを備え、上記反射干渉光から膜干渉成分のみを抽出し、その干渉強度波形から上記積層膜の膜厚を計測する半導体膜厚測定装置において、上記受光部を、互いに測光波数帯域の一部が重複する複数の光検知器を用いて構成したことを特徴とする半導体膜厚測定装置。
引用特許：
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