磁気検出素子、磁気センサー、地磁気検出型方位センサー、及び姿勢制御用センサー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤卓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-285476
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127218
出願日： 1995年11月02日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 MI素子を用いた磁気センサーで、電源電圧の変動や電気素子の温度特性等の影響を受けにくく、発振回路の細かい調整が不要であり、ノイズにも強いセンサーを提供する。【解決手段】コルピッツ発振回路に組み込まれたMI素子1に巻回されたコイル22に交流バイアス電流が流され、MI素子1に交流バイアス磁界がかけられる。外部磁界とバイアス磁界に応じたMI素子1のインピーダンス変化により、発振回路の出力にピークが交互に高低差のある振幅変調波形が得られる。前記高低差が外部磁界の強さに対応する。発振回路の出力は検波回路で検波され、直流分を除去されてコンパレータに入力され、前記高低差に応じてパルス幅変調されたデジタル波形の出力信号が得られる。外部磁界の強さを発振回路の出力の振幅の絶対値ではなく変化分より求めることで上記課題を解決できる。

請求項（抜粋）：

磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子であって、略直方体の非磁性基板の側面に高透磁率磁性膜を形成して構成され、前記磁性膜は、直線が途中で複数回平行に折り返されて両端部が反対方向に延びる折り返しパターンに形成され、長手方向が磁界検出方向に沿わされ、旦つ磁化容易軸の方向が膜面内で長手方向に対し垂直な方向となるように磁気異方性がつけられており、前記磁性膜の両端部には端子としての導電膜が形成されており、前記磁性膜と導電膜は、該導電膜を磁気検出素子が実装されるプリント基板表面の配線パターンに直接半田付けできるように、前記非磁性基板において前記プリント基板表面に対し略垂直となる側面に形成されていることを特徴とする磁気検出素子。

IPC (3件)：

G01R 33/02 , G01C 17/32 , G01V 3/40

FI (4件)：

G01R 33/02 B , G01R 33/02 L , G01C 17/32 , G01V 3/40

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