特許

J-GLOBAL ID：200903041095369026

プラズマ化学蒸着装置

発明者： 古城 大一 ,  村田 正義 ,  竹内 良昭 ,  宇田 和孝
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 坂間 暁 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-188073
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045540
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 電極間の反応ガスの分布を均一に保つことができ、膜厚分布が一定範囲内のアモルファスシリコン薄膜の製造が可能な装置を実現する。【構成】 反応容器1内に配設され接地電極3と対向するプラズマ発生用電極101に複数の反応ガス導入孔102を設け、反応ガスをプラズマ発生用電極101の背面に供給した後、反応ガス導入孔102を介して電極3,101間に供給することによって、反応ガスを電極3,101間に効率良く導入することができ、かつその分布を均一にすることができるため、グロー放電プラズマによる大面積の非晶質薄膜を高速で成膜することが可能となり、アモルファスシリコン太陽電池、液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ及び光電子デバイスなどの製造分野での工業的価値が著しく大きい装置を実現する。

請求項（抜粋）：

反応容器と、この反応容器に反応ガスを導入して排出する手段と、上記反応容器内に収容された接地電極及びプラズマ発生用電極と、このプラズマ発生用電極にグロー放電用電力を供給する電源と、上記電極間に直交し、かつ互いに直交する方向に軸芯を持つように反応容器を挟んで設置された2対のソレノイドコイルと、これらのソレノイドコイルに磁界発生用電力を供給する交流電源を有し、上記電極間の電界に直交するように支持された基板上に非晶質薄膜を形成するプラズマ化学蒸着装置において、上記プラズマ発生用電極が接地電極との対向面に貫通する複数の反応ガス導入孔を形成されその背面より反応ガスを供給されることを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04