特許
J-GLOBAL ID：200903041097639365
位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスクの検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-400340
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195480
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【課題】 位相シフトマスクにおける位相差を生じさせる性能の検査工程や製造工程を簡易なものとしながらも高精度な検査や品質管理を可能とすることで、位相シフトマスクの製造工程や検査工程のスループットの向上および低コスト化を達成する。【解決手段】 基準パターン4に対応した部分の遮光膜2を選択的にエッチング加工して他の部分の遮光膜2よりも薄い膜厚にする。エッチング加工によって透明基板1にトレンチ5を掘り込むと共に、基準パターン4に対応した部分の遮光膜2も蝕刻して、その部分の遮光膜2の残膜9を所定の厚さにする。残膜9は必要に応じて除去する。
請求項（抜粋）：
透明基板をその表面から板厚方向にエッチング加工によって掘り込んで他の部分における透過光との位相差を生じさせるように形成されたトレンチと、このトレンチの深さを計測するための基準となるように前記透明基板の掘り込まれていない表面を露出させた基準パターンと、前記トレンチと共に所定の露光用パターンを構成する遮光膜とを有する位相シフトマスクの製造方法であって、前記透明基板に前記トレンチを前記エッチング加工で掘り込む際に前記基準パターンに対応した部分の遮光膜も蝕刻されて、前記トレンチの掘り込みが完了したときには前記基準パターンに対応した部分に残る遮光膜の残膜が所定の厚さになるように、前記基準パターンに対応した部分の遮光膜をあらかじめ選択的にエッチング加工して薄くする工程と、前記エッチング加工によって前記透明基板に前記トレンチを所定の深さまで掘り込むと共に、前記基準パターンに対応した部分の遮光膜が所定の厚さの残膜として残るまで蝕刻していく工程とを含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G03F 1/08 S
, G03F 1/08 A
, G03F 1/08 M
, H01L 21/30 502 P
2H095BB03
, 2H095BB14
, 2H095BB35
, 2H095BC24
, 2H095BC28
, 2H095BD02
