特許

J-GLOBAL ID：200903041103265669

アルミナ膜形成方法

発明者： 代木 育夫 ,  渡部 純一 ,  小杉 清久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250225
公開番号（公開出願番号）：特開平6-101019
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月12日
要約：

【要約】【目的】 本発明は,アルミナ膜の形成方法に関し,品質良く,安全に,更に低コストで形成することを目的とする。【構成】 真空チャンバ1内で, Alターゲット,或いはAl蒸着源2を用いてAl膜3を形成し, Al膜3を酸化性ガス4を用いて酸化する工程とを繰り返して,Al203膜5を形成するように,同一真空チャンバ1内にAlターゲット3と酸化性ガス4の酸化性ガス導入口6を設け, 且つ, Alターゲット,或いはAl蒸着源2と酸化性ガス導入口6の間にバリアガス導入口7を設けてAlターゲット,或いはAl蒸着源3と酸化性ガス4雰囲気の間をバリアガス8により遮断し,基板1を回転しながら, ルミナ膜5を連続的に形成するように,また,Al膜3の形成は一度に100Å以下の厚さに限定するように構成する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ(6) 内で, アルミニウムターゲット,或いはアルミニウム蒸着源(7) を用いて,アルミニウム(2) を基板(1) 上にスパッタ, 或いは蒸着してアルミニウム膜(3) を形成し, 該アルミニウム膜(3) を酸化性ガス(4) を用いて酸化する工程を繰り返して, アルミナ(酸化アルミニウム)膜(5)を形成することを特徴とするアルミナ膜形成方法。

IPC (6件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/784