特許
J-GLOBAL ID：200903041105870578
MOSFETおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213776
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065149
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 MOSFETのオン電流を向上し、スイッチング速度を速くする。【解決手段】 MOSFETのチャネル表面近傍の不純物分布を、伝導キャリヤと同型の不純物をソース側で高濃度にし、ドレインに向かって濃度が減少するように導入し、それより深い領域で、前記伝導キャリアと逆型の不純物をソース側で高濃度にし、ドレインに向かいその濃度が減少するよう導入することで、ソースからドレインに向かう局所的閾値分布がソース側で高く、ドレイン側で低くなるように不純物濃度を設定し、ソース側の縦電界を弱めて、キャリヤの移動度を向上し、かつ横方向に内部電界を形成することで、オン電流を多くする。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜との界面から離れた領域において伝導キャリヤを生成する不純物と逆型の第1伝導型不純物が、ソースからドレインに向かいその濃度が減少する分布をもち、上記界面に近いチャネル部分で伝導キャリヤを生成する第2伝導型不純物がソースからドレインに向かいその濃度が減少する分布をもつことを特徴とするMOSFET。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 S
