特許
J-GLOBAL ID：200903041108435015
液晶表示装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245336
公開番号（公開出願番号）：特開平7-104312
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 液晶表示装置おいて、画素部の光透過率を向上し、消費電力を低減する。【構成】 マトリクス状に配置された複数の画素部を駆動するため各画素部に薄膜トランジスタが配置され、各薄膜トランジスタは、ソース領域12c、チャンネル領域12a、ドレイン領域12bが形成された半導体活性層12と、半導体活性層12のチャンネル領域12a上にゲート絶縁膜13aを介して設けられるゲート電極14とを備え、画素部には層間絶縁膜16を介して表示電極17と対向する補助容量電極15が設けられている液晶表示装置の製造方法において、補助容量電極15の構成する半導体薄膜と、薄膜トランジスタの半導体活性層12を構成する半導体薄膜とが同一の薄膜形成工程で形成されることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配置された複数の画素部を駆動するため各画素部に薄膜トランジスタが配置され、各薄膜トランジスタは、ソース領域、チャンネル領域、及びドレイン領域が形成された半導体活性層と、該半導体活性層のチャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極とを備え、画素部には層間絶縁膜を介して表示電極と対向する補助容量電極が設けられている液晶表示装置の製造方法において、前記補助容量電極を構成する半導体薄膜と、前記薄膜トランジスタの前記半導体活性層を構成する半導体薄膜とが同一の薄膜形成工程で形成されることを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
