特許

J-GLOBAL ID：200903041111205098

基材上にナノチューブ層を生成する方法

発明者： マオスナー、クラウス
出願人/特許権者： エレクトロファク,ファブリカツィオーン エレクトロテクニシャー スペツィアラルティクテル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-526462
公開番号（公開出願番号）：特表2003-510462
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】本発明は、CVD法を用いて基材(2)を反応室(1)に挿入することによって基材(2)上にナノチューブ層を生成する方法に関する。上記反応室(1)を炭素を含む気体で置換し、気相からの炭素が基材(2)上にナノチューブを形成しながら沈着する温度まで基材(2)を加熱した後、基材(2)を誘導加熱する。

請求項（抜粋）：

基材(2)を反応室(1)に加え、上記反応室(1)を炭素含有気体で置換し、基材(2)を一定温度まで加熱することにより、炭素が気相から基材(2)上で分離し且つそこにナノチューブを形成するCVD法によって基材(2)上にナノチューブ層を生成する方法であって、基材(2)を誘導加熱することを特徴とする、方法。

IPC (3件)：

C23C 16/26 ,  B32B 18/00 ,  C01B 31/02 101

FI (3件)：

C23C 16/26 ,  B32B 18/00 B ,  C01B 31/02 101 F

Fターム (27件)：

4F100AA37A ,  4F100AB01A ,  4F100AB11A ,  4F100AB31A ,  4F100AD00A ,  4F100AD00B ,  4F100AG00A ,  4F100AH08 ,  4F100AS00B ,  4F100CC10 ,  4F100EH462 ,  4F100EH662 ,  4F100EJ581 ,  4G046CA02 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB11 ,  4K030CA03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030FA17 ,  4K030KA23

引用特許：

審査官引用 (3件)

• CVD装置用サセプタ及び高周波誘導加熱装置を有するCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-157105   出願人：三菱電機株式会社
• 円筒状黒鉛繊維と製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-108070   出願人：日本電気株式会社
• 単層ナノチューブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-285360   出願人：大阪瓦斯株式会社