特許
J-GLOBAL ID：200903041112458933
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351125
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186134
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハの表面にレジストパターンを形成する際に、化学増幅レジスト膜を使用すると、半導体ウェハと接合するレジストパターンの底部に食い込みが生じたり、裾引きが生じてしまう。すると、解像性の劣化したパターンが形成される。【解決手段】 化学増幅レジスト膜14の酸性度が下層反射防止膜12の酸性度よりも高い場合は、塩酸溶液を通した窒素ガス雰囲気13中で、半導体ウェハ11上の下層反射防止膜12を暴露し、酸性度を高めた下層反射防止膜12を形成する。その下層反射防止膜12上に酸性度の高い化学増幅レジスト膜14を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上に形成した下層反射防止膜の酸性度よりも高い酸性度の化学増幅レジスト膜によってレジストパターンを形成する方法であり、(1)半導体ウェハ上に下層反射防止膜を形成する工程と、(2)前記半導体ウェハ上に形成された下層反射防止膜の酸性度を高めるために、酸性の雰囲気中で表面処理を行う工程と、(3)前記下層反射防止膜上に、下層反射防止膜の酸性度よりも高い化学増幅レジスト膜を形成する工程と、(4)レーザ光によって露光する工程と、を有し、(1)から(4)の順序で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 565
, H01L 21/30 574
