特許

J-GLOBAL ID：200903041116965740

リソグラフィ法及び半導体装置の製造方法

発明者： 白石 洋 ,  曽我 隆 ,  村井 二三夫 ,  逆水 登志夫 ,  林 伸明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-205989
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】工業的に使用できる高い量産性を持つ表面イメージング法からなるリソグラフィ法及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】化学増幅系レジストの有する触媒物質生成機能と潜像形成機能という2つの機能を、触媒物質を生成する層と、この触媒物質の触媒反応を利用して潜像を形成する層とに分ける。【効果】高集積半導体装置の微細加工を高精度かつ高効率で実現できる。

請求項（抜粋）：

活性化学線の所定のパタン状照射に基づいて形成した潜像を現像してマスクパタンを形成し、該マスクパタンをマスクとするエッチング加工によって被エッチング加工層に上記所定パタンに対応するパタンを形成するリソグラフィ法において、上記潜像は上記活性化学線の照射により触媒物質生成層中に生成された触媒物質が潜像形成層に移動し該潜像形成層中で触媒反応を起こすことにより得られることを特徴とするリソグラフィ法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/26 511

FI (2件)：

H01L 21/30 301 A ,  H01L 21/30 331 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-023811
  
• 特公平1-033692