特許
J-GLOBAL ID：200903041117330919
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-178298
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026880
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 クラッド層中のキャリア濃度が高い場合においても、活性層へのキャリア拡散を効果的に抑制することができる半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 本半導体レーザ装置は、n型GaAs基板1の一主面上に形成されたn型AlGaInP第1クラッド層3と、この上に形成された量子井戸活性層4と、この上に形成された低濃度のp型AlGaInP第2クラッド層5と、この上に形成されたp型GaInPエッチング阻止層6と、この上に形成された、p型AlGaInPキャリア拡散抑制層7、及びキャリア濃度が第2クラッド層5より高いp型AlGaInP第3クラッド層8を積層したリッジ構造体10と、それ以外の部分に形成されたn型GaAs電流阻止層11と、第3クラッド層8上に形成されたp型GaAsコンタクト層12とを備え、キャリア拡散抑制層7が第3クラッド層8よりも低いキャリア濃度を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の化合物半導体基板と、上記基板の一主面上に形成された第1導電型の第1クラッド層と、上記第1クラッド層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成された第2導電型の第2クラッド層と、上記第2クラッド層上に形成された第2導電型のエッチング阻止層と、上記エッチング阻止層上にストライプ状に形成された、第2導電型のキャリア拡散抑制層、及び、キャリア濃度が第2クラッド層より高い第2導電型の第3クラッド層をこの順に積層したリッジ構造体と、上記エッチング阻止層上の上記リッジ構造体以外の部分に形成された第1導電型の電流阻止層と、上記第3クラッド層及び電流阻止層上に形成された第2導電型のコンタクト層とを備え、上記キャリア拡散抑制層が第3クラッド層よりも低いキャリア濃度を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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