特許

J-GLOBAL ID：200903041123194296

半導体装置

発明者： 大森 誠
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-179854
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026634
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 CSPパッケージと被実装回路基板との接続実装時の熱による反りの発生を抑え接続実装性を向上できるとともに、熱抵抗、信号(電源)ノイズの低減できるCSP半導体装置を提供することを。【解決手段】 所定のチップ電極2を有する半導体チップ1aと、この半導体チップ1aを担持する補助配線板片3とを備えた半導体装置1において、補助配線板片3の表面に所定の金属プレーン層5を積層すると共に、補助配線板片3の内部に半導体チップ1aのチップ電極2と接続される信号伝達用配線13を設け、半導体チップ1aの略中央部に所定の中央チップ電極15を配設すると共に、当該中央チップ電極15と金属プレーン層5とを相互に接合する。

請求項（抜粋）：

所定のチップ電極を有する半導体チップと、この半導体チップを担持する補助配線板片とを備えた半導体装置において、前記補助配線板片の表面に所定の金属プレーン層を積層すると共に、前記補助配線板片の内部に前記半導体チップのチップ電極と接続される信号伝達用配線を設け、前記半導体チップの略中央部に所定の中央チップ電極を配設すると共に、当該中央チップ電極と前記金属プレーン層とを相互に接合したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (5件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体チップキャリアおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-342718   出願人：株式会社日立製作所