特許
J-GLOBAL ID：200903041128786370
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086553
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302597
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 有機系SOGのエッチバックを用いた層間絶縁膜の平坦化において、有機系SOGの下地膜を膜中に酸素を含まない絶縁膜を選択することによりエッチバック時の有機SOGのエッチング速度の変化を抑え、平坦性に優れた層間絶縁膜を形成することにより、歩留りの向上及び配線の信頼性を向上させる。【構成】 半導体装置を含む半導体基板1上に金属配線2を形成した後、シリコン窒化膜3を堆積する。この上方より有機系SOG5を回転塗布、焼成により形成した後、前記半導体基板をエッチバックして平滑にし、この後、第2シリコン酸化膜6を形成する。
請求項（抜粋）：
多層金属配線構造を有する半導体装置の層間絶縁膜の平坦化方法で金属配線上にシリコン窒化膜を堆積する工程、その上に有機系SOGを回転塗布・焼成して形成する工程およびドライエッチングによりエッチバックを施し、表面を平滑にする工程、さらに層間絶縁膜としてシリコン酸化膜を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
