圧接型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-069820
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270475
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】主電流を確実にゲート回路に転流することができるとともに、ゲートドライバへの取り付けが容易にできる圧接型半導体装置を提供する。【解決手段】ゲートドライバGD1はGCTサイリスタ100をサイリスタ挿入部9に挿入した状態で、カソードスタック電極SK1の上に載置される。そして、GCTサイリスタ100を取り囲むように絶縁円筒体(ゲート端子板圧接手段)50を配設する。

請求項（抜粋）：

一方主面の外周端縁部に沿ってゲート電極が形成され、該ゲート電極の内側にカソード電極が形成され、他方主面にアノード電極が形成された半導体基板と、一方端面が前記ゲート電極に接触するリング状ゲート電極と、前記カソード電極に電気的に接続されるカソードポスト電極と、前記アノード電極に電気的に接続されるアノードポスト電極と、前記カソードポスト電極および前記アノードポスト電極を取り囲むように配設され、少なくとも前記半導体基板および前記リング状ゲート電極を内包する電気絶縁性の絶縁筒と、内周端縁部が前記リング状ゲート電極に電気的に接続され、外周端縁部が前記絶縁筒の側面から突出するゲート端子板とを備え、前記カソードポスト電極および前記アノードポスト電極の外側にそれぞれ配設された、カソードスタック電極およびアノードスタック電極によって、前記カソードポスト電極および前記アノードポスト電極を互いに向き合う方向に付勢し、両者を前記カソード電極および前記アノード電極に圧接するとともに、前記ゲート電極と前記カソード電極間に、ゲートターンオン制御電流を発生させるゲートドライバが前記ゲート端子板および前記カソードポスト電極に電気的に接続される圧接型半導体装置において、前記ゲートドライバは、前記ゲート端子板に直接に接触し、前記ゲートターンオン制御電流の伝達経路となるゲートリード基板を有し、前記圧接型半導体装置は、前記カソードポスト電極および前記アノードポスト電極の圧接に伴って、前記ゲート端子板の外周端縁部を前記ゲートリード基板に圧接するゲート端子板圧接手段をさらに備えることを特徴とする圧接型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 , H01L 29/744 , H01L 29/74

FI (4件)：

H01L 21/52 J , H01L 29/74 C , H01L 29/74 J , H01L 29/74 L

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