特許
J-GLOBAL ID：200903041131237387
半導体装置の絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245014
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097298
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、より詳しくは、半導体装置の下側配線と上側配線とを絶縁しかつ平坦化を図る層間絶縁膜の形成方法に関し、平坦化塗布材料(SOG膜)の下地パターン依存性を小さくし、配線上のSOG膜厚をより均一にすることのできる絶縁膜形成方法を提供する。【構成】 半導体基板上の絶縁層2と、該絶縁層上に形成された配線3、4とを覆う絶縁膜を形成する方法において、SOG膜のソース溶液5に、配線の高さの2分の1以上から1.5倍以下の径のセラミック・フィラー7を混合し、該混合溶液を塗布して絶縁膜を形成するように構成する。混合溶液をスピンコータあるいはロールコーターによって塗布し、その際にセラミック・フィラーを配線3、4上には存在させないようにする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁層と、該絶縁層上に形成された配線とを覆う絶縁膜を形成する方法において、SOG膜のソース溶液に、前記配線の高さの2分の1以上から1.5倍以下の径のセラミック・フィラーを混合し、該混合溶液を塗布して絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
