特許

J-GLOBAL ID：200903041134996068

半導体ウェーハの研磨方法

発明者： 谷口広伸
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-115237
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283384
出願日： 1991年04月20日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体ウェーハの研磨精度を向上させることを目的とする。【構成】 研磨砥粒液の滴下領域を、研磨定盤面に仮定して、この仮定された領域に対して、互いに等しくなるよう砥粒液量を制御する。

請求項（抜粋）：

上定盤と下定盤間に挾持された半導体ウェーハを、前記上定盤に穿設された複数の滴下口を通じて砥粒液を供給しつつ研磨する半導体ウェーハの研磨方法において、それぞれの滴下口より供給される砥粒液の展開範囲を研磨定盤上に同心円領域としてそれぞれ仮定し、この仮定した個々の領域に対して単位面積当りの供給量が互いに等しくなるよう砥粒液を供給しつつ研磨することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。