特許
J-GLOBAL ID：200903041137494055
露光方法、それに用いる位相シフトマスクおよびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211180
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236021
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 転写露光面の焦点深度およびパターンの解像度を向上させることのできる位相シフトマスクのパターンデータの作成を容易にする。【構成】 次の工程を有する。位相シフトマスク上のパターンデータを作成する際に、繰返しパターンの相対位置座標は変えないで、繰返しパターンの幅をプロセス条件に基づいて、所定量だけ拡大することにより主光透過パターンのデータを作成する第1拡大工程(107a,107b)。第1拡大工程(107a,107b)によって得られたデータ状態の主光透過パターンの幅を縮小投影露光光学系の特性条件に基づいて所定量拡大した後、その拡大によって得られたパターンのデータから主光透過パターンのデータを除くことにより副光透過パターンのデータを作成する第2拡大工程(108a,108b)。
請求項（抜粋）：
所定基板上に堆積されたフォトレジスト膜に、パターン間隔が露光波長と同程度またはそれ以下となる状態で繰り返し配置される複数の繰返しパターンを転写する際に、前記複数の繰返しパターンを転写するためにマスク基板上に配置された複数の繰返し光透過パターンの各々に、遮光パターンを挟んで互いに隣接する繰返し光透過パターンの各々を透過した光の位相が互いに逆相となるように主光透過パターンを配置するとともに、各々の繰返し光透過パターンにおいて、前記主光透過パターンの外周の少なくとも一部に、透過光の位相が前記主光透過パターンを透過した光の位相に対して逆相となるような副光透過パターンを配置した位相シフトマスクを用いる露光方法において、以下の工程を有することを特徴とする露光方法。(a)前記位相シフトマスク上のパターンデータを作成する際に、前記繰返しパターンの相対位置座標は変えないで、前記繰返しパターンの幅をプロセス条件に基づいて、少なくとも繰返し配置される方向に所定量だけ拡大することにより前記主光透過パターンのデータを作成する第1拡大工程。(b)前記第1拡大工程によって得られたデータ状態の主光透過パターンの幅を縮小投影露光光学系の特性条件に基づいて所定量拡大した後、その拡大によって得られたパターンのデータから前記主光透過パターンのデータを除くことにより前記副光透過パターンのデータを作成する第2拡大工程。(c)前記主光透過パターンのデータおよび前記副光透過パターンのデータに基づいて、前記マスク基板上に前記繰返し光透過パターンを有する位相シフトマスクを作成する工程。(d)前記位相シフトマスクに対して所定波長の露光光を照射し、前記主光透過パターンと前記副光透過パターンとの境界部分において主副双方の光透過パターンを透過した光の干渉および互いに隣接する前記主光透過パターン間の光の干渉を生じさせた状態で、前記所定基板上のフォトレジスト膜に前記複数の繰返しパターンを転写する露光工程。(e)前記フォトレジスト膜に転写される前記複数の繰返しパターンの各々の実効寸法が、前記第1拡大工程に起因して目的の寸法よりも拡大しないように露光処理中または露光処理前後のプロセス条件を補正する工程。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
