特許
J-GLOBAL ID：200903041139329965
半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-003151
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208568
出願日： 2001年01月11日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】 不純物を半導体へ容易にドーピングすることができる半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板を提供する。【解決手段】 負のミュオン・パイオン素粒子をGaN基板4へ照射することによって不純物を半導体へドーピングし、P型化することができる。
請求項（抜粋）：
負のミュオン・パイオン素粒子を半導体へ照射することによって、不純物を前記半導体へドーピングすることを特徴とする半導体への不純物ドーピング方法。
引用特許：
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