特許
J-GLOBAL ID：200903041139807450
バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-162198
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013427
出願日： 1991年06月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 従来有する特性を低下させることなくベース-コレクタ容量を最小にする。【構成】 基板1上にコレクタ層3、ベース層4、エミッタ層5を成長させる前に、サブコレクタ12をエミッタの領域及びコレクタ端子のための領域を含む限定された領域に形成する。
請求項（抜粋）：
半導体材料からなる基板(1)上に配設され、コレクタ、ベース及びエミッタを構成するためコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)を上下に重ね合わせて成長させたバイポーラトランジスタを製造する方法において、コレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)を成長させる前に、サブコレクタ(12)をエミッタの領域及びコレクタ端子用として設定された領域を含む限定された領域に形成することを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
