特許

J-GLOBAL ID：200903041140629670

マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243375
公開番号（公開出願番号）：特開平9-087851
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年03月31日
要約：

【要約】【課題】 低圧領域でも高密度かつ大面積均一なプラズマを維持できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 プラズマ発生室101と、それにに連結した処理室111と、該処理室内に設置される被処理基体112を支持する手段と、該プラズマ発生室の周囲に配された複数のスロットを備えて無終端環状導波管103を用いるマイクロ波導入手段と、該プラズマ発生室及び該成膜室内にガスを導入する手段104、115と排気する手段116とで構成されるマイクロ波プラズマ処理装置であって、該複数のスロットの中心を含む面に節面をもち該スロット近傍の磁界の磁束密度は基板近傍の磁界の磁束密度よりも大きいカスプ磁界を発生する手段105を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生室と、該プラズマ発生室に連結した処理室と、該処理室内に設置される被処理基体を支持する手段と、該プラズマ発生室の周囲に配された複数のスロットを備えて無終端環状導波管を用いるマイクロ波導入手段と、該プラズマ発生室及び該成膜室内にガスを導入する手段と、該プラズマ発生室及び該成膜室内を排気する手段とで構成されるマイクロ波プラズマ処理装置であって、該複数のスロットの中心を含む面に節面をもち該スロット近傍の磁界の磁束密度は基板近傍の磁界の磁束密度よりも大きいカスプ磁界を発生する手段を有することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。