特許
J-GLOBAL ID：200903041144136296
微細配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143880
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343535
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】微細配線を形成するためのフォトリソグラフィー工程の露光マージンを拡大する。【構成】コンタクト孔3を含む表面に設けたアルミニウム合金膜4の上に酸化シリコン膜5を堆積し、酸化シリコン膜5の上にフォトレジスト膜6を塗布してパターニングし、所望の線幅より細い配線形成用パターンを形成する。次に、フォトレジスト膜6をマスクとして酸化シリコン膜5を異方性エッチングした後、フォトレジスト膜を除去し、全面に酸化シリコン膜7を堆積した後エッチバックして酸化シリコン膜5の側面にのみ酸化シリコン膜7を残す。次に、酸化シリコン膜5,7をマスクとしてアルミニウム合金膜4をエッチングして微細配線を形成する。【効果】所望の配線パターンより配線幅を細く、配線間隔を広くしたレジスト膜パターンを形成することにより、リソグラフィー工程のマージンを拡げ、配線の微細化を向上できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に導電体薄膜を形成し前記導電体薄膜上にCVD法により第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜を選択的に異方性エッチングして配線形成用のパターンを形成する工程と、前記第1の絶縁膜を含む表面にCVD法により第2の絶縁膜を堆積してエッチバックし前記第1の絶縁膜の側面にのみ第2の絶縁膜を残す工程と、前記第1及び第2の絶縁膜をマスクとして前記導電体薄膜を異方性エッチングして配線を形成する工程とを含むことを特徴とする微細配線の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 27/108
