特許
J-GLOBAL ID：200903041145049222
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007234
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198743
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 タンタル酸化膜17からなる誘電体膜を用いたキャパシタ8において、キャパシタ8の容量の低減を防止する。【構成】 キャパシタ8の下部電極18をチタン窒化膜で構成する。【効果】 誘電体膜17形成時に下地の下部電極18表面に高誘電率のチタン酸化膜19が形成されることにより、キャパシタ8の容量が大きくなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に上部電極と、下部電極と、それら2つの電極間に誘電体膜が配置されて形成されたキャパシタを有する半導体装置において、前記下部電極の上層部分をチタン窒化膜で構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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