特許

J-GLOBAL ID：200903041147222460

半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 長友 良樹
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161832
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルの蓄積電極の面積をより広げることができる半導体記憶装置の構造およびその製造方法の提供。【構成】 データ線方向に隣接している2つのメモリセルの蓄積電極60同士を輪郭を揃えて重ね合わせてある。その結果、蓄積電極60を2つのメモリセルの領域にわたって広げることができる。また、重なり合った蓄積電極60は、互いに電気的に絶縁されており、上側の蓄積電極60aが下側の蓄積電極60bを貫通している。

請求項（抜粋）：

下地上に設けた各メモリセル毎に、キャパシタ絶縁膜を介してセルプレートと対向した蓄積電極を有する容量部を具えてなる半導体記憶装置において、互いに隣接する複数の前記蓄積電極が、それぞれの輪郭を揃えて重なり合っており、重なり合った前記蓄積電極は、互いに電気的に絶縁され、かつ、それぞれ当該蓄積電極より下側に重なり合っている他の蓄積電極を貫通して前記下地と電気的に導通してなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 M