特許
J-GLOBAL ID:200903041150457274

プラズマエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-042512
公開番号(公開出願番号):特開2003-243365
出願日: 2002年02月20日
公開日(公表日): 2003年08月29日
要約:
【要約】【課題】シャワープレートでの異物の発生を抑制するとともに、ウエハ面内の処理の均一性を向上させる。【解決手段】下部電極10に対向して配置されたアンテナ3からシャワープレート31を介してウエハ9の中央に向けて処理ガスを供給し、該処理ガスをプラズマ化するとともに、下部電極10とアンテナ3との間に高周波電力を印加しプラズマ中の荷電粒子にウエハ9への入射エネルギーを与えて、試料をエッチング処理する。このとき、試料への荷電粒子の入射とは別に、高周波電力の印加によって電極部のシャワープレート31への荷電粒子14の入射も生じ、シャワープレート31への荷電粒子14の入射に際し、シャワープレート31の処理ガス供給穴32に入射した荷電粒子14を中性化する。
請求項(抜粋):
処理室内に設けられた試料台に試料を配置する工程と、前記試料台に対向して配置された電極側からシャワープレートを介して前記試料の中央に向けて処理ガスを供給する工程と、前記処理室内にプラズマを生成する工程と、前記試料台と前記電極との間に高周波電力を印加し前記プラズマ中の荷電粒子に前記試料への入射エネルギーを与える工程と、前記試料への荷電粒子の入射とは別に前記高周波電力の印加によって生じた前記プラズマから前記電極への入射であって前記シャワープレートの処理ガス供給穴に入射した荷電粒子を中性化する工程と、前記プラズマを用いて前記試料をエッチングする工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法。
Fターム (10件):
5F004AA01 ,  5F004AA14 ,  5F004BA14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB32 ,  5F004BC08 ,  5F004BD03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06
引用特許:
審査官引用 (5件)
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