特許

J-GLOBAL ID：200903041151396970

半導体装置

発明者： 高木 義夫 ,  中山 和嘉 ,  原田 富美子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340928
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175382
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 絶縁特性および冷却性を向上させる。【構成】 絶縁基板22上に、シリコンチップ27,アルミニウムワイヤ28,29を覆う絶縁ケース30を接着する。この絶縁ケース30内に、高絶縁性ガスおよびヘリウムガスを封入した。高絶縁性ガスによりアルミニウムワイヤ28,29間やパターン上での絶縁性を確保できシリコンゲルが不要となる。そのため電極32,33を直線的に形成して製造コストを低く抑えれ、アルミニウムワイヤ28,29が接触し難くなり設計上,組立上の自由度が増える。高絶縁性ガスで封止されて絶縁特性が向上し、ヘリウムガス封入で冷却効果も向上する。

請求項（抜粋）：

放熱板上に絶縁基板が接着され、前記絶縁基板上にシリコンチップと、このシリコンチップにボンディングワイヤを介して接続された外部接続用電極とが搭載された半導体装置において、前記絶縁基板上に、シリコンチップおよびワイヤボンディング部分を覆う絶縁材製気密封止用ケースを接着し、このケース内に、高絶縁性ガスおよびヘリウムガスを封入したことを特徴とする半導体装置。