特許
J-GLOBAL ID：200903041161373447
めっき法と太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-259978
公開番号（公開出願番号）：特開平8-120479
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月14日
要約：
【要約】【目的】CuInSe2 を吸収層とする太陽電池の製造におけるInの利用率を高め、コスト低減を図る。【構成】Cuイオンを0.05モル、Inイオンを0.5モル、Se粉末を0.633モル含む液にくえん酸を1モル添加して分散めっき液を作る。Mo膜2を形成したガラス基板1を陰極として、電流密度3A/dm2 でめっきを行い、CuIn/Se分散めっき層3を形成する。めっき層3の組成はCu:In:Se=31.5:30.8:37.7であった。このデータはくえん酸を添加したことによりInの利用率が5倍に上がっていることを示す。これは、くえん酸がCu,Inと錯イオンを形成し、還元電位が近い値になるためである。くえん酸の代わりに酒石酸を添加してもよい。めっき層3をSeガスを含む雰囲気中で熱処理してCuInSe2 膜4に転換する。
請求項（抜粋）：
銅イオンとインジウムイオンを含むめっき液を用いて被めっき体に銅-インジウムを含むめっき層を形成するめっき法において、前記めっき液に前記銅イオンおよびインジウムイオンと錯化反応して還元電位が互いに近い銅およびインジウムの錯イオンを形成する有機酸を添加したことを特徴とするめっき法。
IPC (3件)：
C25D 3/56
, C25D 15/02
, H01L 31/04
