特許
J-GLOBAL ID:200903041162854945

Bi基熱電変換材料と熱電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池条 重信 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-253539
公開番号(公開出願番号):特開2002-064228
出願日: 2000年08月24日
公開日(公表日): 2002年02月28日
要約:
【要約】【課題】 ネルンスト効果の大きい熱電(電熱)変換材料に磁場を印加して、ゼーベック係数を向上させた熱電変換素子の提供。【解決手段】 Biに所要の添加元素を単独又は複合で5原子%以下含有したBi基熱電変換材料に磁場を印加すると、ゼーベック係数が大きく向上し、温度勾配の方向と直角に磁場を印加し、しかも温度勾配と磁場の両方向と直角方向に温度勾配が与えられるように電極を配置した構成を採用することにより、ゼーベック係数が著しく向上する。
請求項(抜粋):
Biに添加元素を単独又は複合で5原子%以下含有したBi基熱電変換材料。
IPC (5件):
H01L 35/18 ,  C22C 12/00 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00
FI (5件):
H01L 35/18 ,  C22C 12/00 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00 A

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