特許

J-GLOBAL ID：200903041163121720

透明導電積層体

発明者： 原 寛 ,  坪井 誠治
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046156
公開番号（公開出願番号）：特開2000-238178
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
要約：

【要約】【課題】 比抵抗が従来のフィルム上ITO膜に比べて低減された透明導電積層体を提供する。【解決手段】 高分子フィルム上に、結晶質部を有するIn-Sn-O系透明導電膜が形成されてなる透明導電積層体において、該結晶質部の(222)面からのX線回折強度に対する(440)面からのX線回折強度の比が0.3〜1.2の範囲であることを特徴とする透明導電積層体。

請求項（抜粋）：

高分子フィルム上に、結晶質部を有するIn-Sn-O系透明導電膜が形成されてなる透明導電積層体において、該結晶質部の(222)面からのX線回折強度に対する(440)面からのX線回折強度の比が0.3〜1.2の範囲であることを特徴とする透明導電積層体。

IPC (4件)：

B32B 9/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/14

FI (4件)：

B32B 9/00 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 N ,  H01B 5/14 A

Fターム (22件)：

4F100AA33B ,  4F100AK01A ,  4F100AK45 ,  4F100BA02 ,  4F100EH66B ,  4F100EH662 ,  4F100EJ423 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11B ,  4F100JG01B ,  4F100JG04 ,  4F100JN01B ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC09 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10