特許

J-GLOBAL ID：200903041163999300

レジスト及びそのパターン形成方法

発明者： 内野 正市 ,  右▲高▼ 園子 ,  上野 巧 ,  小野塚 利彦 ,  白井 精一郎 ,  森内 昇 ,  佐々木 守 ,  橋本 通晰 ,  林 伸明 ,  小島 恭子 ,  村井 二三夫 ,  田中 稔彦 ,  山本 治朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-076869
公開番号（公開出願番号）：特開平7-239547
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 紫外線、電子線、X-線、その他放射線に優れた感度を有し、且つ高解像性を有するアルカリ水溶液現像可能なレジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【構成】 アルカリとの求核置換反応により撥水性を消失する官能基を有するか、またはアルカリとの反応により撥水性を消失する官能基を分子内に2個以上有する撥水性化合物と、放射線照射または放射線照射とその後の熱処理によりアルカリ水溶液の浸透性が変化する浸透性可変組成物を含むレジスト構成とする。【効果】 半導体デバイス、光ディスク、磁気ヘッド、磁気バブル素子等の製作に必要な微細パターン形成を、効率良く、且つ低コストで行える。

請求項（抜粋）：

アルカリとの求核置換反応により撥水性を消失する官能基を有する撥水性化合物と、放射線照射または放射線照射とその後の熱処理によりアルカリ水溶液の浸透性が変化する浸透性可変組成物を含むことを特徴とするレジスト。

IPC (3件)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027