特許
J-GLOBAL ID:200903041167897545
半導体カソードを有する電子管
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
津軽 進
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-556385
公開番号(公開出願番号):特表2002-519814
出願日: 1999年06月07日
公開日(公表日): 2002年07月02日
要約:
【要約】電子を放出する半導体カソードを備える電子管であって、この半導体カソードは支持体に配されており、該カソードの自由表面(Si)F2又はHFのような還元剤表面に面するように、放出源は該カソードの近くに配されている。この放出源は製造プロセスにおいて前記電子管の真空引き中に起こる上昇温度で、F2又はHFのような還元剤を放出することができる。そして、これらのF2又はHFのような還元剤は、前記カソードの自由表面(Si)を不動態化する。
請求項(抜粋):
支持体上に配され、電子を放出する半導体カソードを有する電子管において、放出源が該カソードの近くに配され、該放出源が上昇温度において還元剤を放出することができることを特徴とする電子管。
IPC (6件):
H01J 1/308
, H01J 3/02
, H01J 9/02
, H01J 9/385
, H01J 29/04
, H01J 29/48
FI (6件):
H01J 3/02
, H01J 9/02 C
, H01J 9/385 A
, H01J 29/04
, H01J 29/48 A
, H01J 1/30 S
Fターム (10件):
5C012AA01
, 5C012AA03
, 5C012PP10
, 5C031DD15
, 5C031DD17
, 5C041AA02
, 5C041AB03
, 5C041AC45
, 5C041AD10
, 5C041AE01
前のページに戻る