特許
J-GLOBAL ID：200903041168151091
多連型単結晶製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006607
公開番号（公開出願番号）：特開2000-203981
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】 GaAs単結晶等を製造する場合、垂直ブリッジマン法を採用するのが好適とされているが、この方法は、単結晶の成長速度を3〜5mm/hという非常にゆっくりした速度で行う必要があった。そのため、生産性に劣るという難点があった。【解決手段】 圧力容器2内に複数のルツボ3を設けることで、一度に複数の単結晶成長ができる構成とした。この場合、各ルツボ3間において熱的干渉が起こるのを防止するため、ルツボ3とこれを個別に囲むヒータ4との組み合わせを、個々に断熱材性のスペーサ部材10によって熱的に区画遮断させた。また、各ルツボ3を一斉に下降できるように、全体として共通の昇降台7で支持させる構造にして、製造の容易化を図った。
請求項（抜粋）：
圧力容器(2)と、該圧力容器(2)内に収納される複数のルツボ(3)と、各ルツボ(3)を個別に囲んで設けられるヒータ(4)とを有しており、ヒータ(4)の加熱制御又はルツボ(3)の下降移動により、各ルツボ(3)内へ装填した化合物原料(15)の融点を中心温度とする上高下低の温度雰囲気帯をルツボ(3)に対して下方から上方へ相対移動させて、各ルツボ(3)内の底部に装填した種結晶(17)を起点として原料融液(15a)を下方から上方へ順次冷却固化させてゆくことを特徴とする多連型単結晶製造装置。
Fターム (10件)：
4G077AA02
, 4G077BE46
, 4G077CD02
, 4G077EG10
, 4G077EG18
, 4G077EG20
, 4G077EG25
, 4G077EG27
, 4G077MB04
, 4G077MB22
