特許

J-GLOBAL ID：200903041168453632

SnAgAuソルダーバンプとその製造方法及びその方法を利用した発光素子のボンディング方法

発明者： 崔 源 ▲けい▼ ,  蔡 秀 煕 ,  郭 準 燮
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-278887
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109484
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】SnAgAuソルダーバンプとその製造方法及びその方法を利用した発光素子のボンディング方法を提供する。【解決手段】第1〜第3元素を含む化合物よりなるソルダーバンプ56a,58aにおいて、前記第1元素および前記第3元素は、複数の中間相及び固相線を有する化合物を形成することを特徴とするソルダーバンプ56a,58a、その製造方法を提供し、また前記その製造方法を利用した発光素子のボンディング方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1〜第3元素を含む化合物よりなるソルダーバンプにおいて、 前記第1元素および前記第3元素は、複数の中間相及び固相線を有する化合物を形成することを特徴とするソルダーバンプ。

IPC (3件)：

H01L21/60 ,  H01L33/00 ,  H01S5/022

FI (3件)：

H01L21/92 603B ,  H01L33/00 N ,  H01S5/022

Fターム (9件)：

5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F173MC04 ,  5F173MC11 ,  5F173MD51 ,  5F173MD63 ,  5F173MD85