特許
J-GLOBAL ID：200903041169879358
ECRプラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-218968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058033
出願日： 1993年08月11日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 高度に微細化・高集積化したメモリー素子等の集積半導体回路の製造の際に、層間膜を平坦化する工程などに使用されるECRプラズマCVD装置において、プラズマ中に浮遊する副反応生成物が基板や基板に形成された膜に付着することを抑制し、基板や基板上の膜に付着するパーティクルの個数を低減させる。【構成】 ECRプラズマ発生部20と、プラズマ反応室6を有するプラズマCVD部21とを備えたECRプラズマCVD装置において、プラズマ反応室6の基板保持部(サセプター)9の真上に、この基板保持部9に近接して、閉じたときに基板8を覆う開閉可能なシャッター30を設ける。
請求項（抜粋）：
ECRプラズマ発生部と、プラズマ反応室を有するプラズマCVD部とを備えたECRプラズマCVD装置において、前記プラズマ反応室内の基板保持部近傍に閉じたときに基板を覆う開閉可能なシャッターを設けたことを特徴とするECRプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
