半導体メモリ装置の欠陥セル救済方法とその回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-342102
公開番号（公開出願番号）：特開平8-235892
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】封止後でも外部端子を通して欠陥セルアドレスのプログラムを行える欠陥セル救済回路を提供する。【解決手段】制御端子から所定信号を入力することで救済モード活性化回路100が救済モード活性化信号φMIを発生し、これに基づき救済モードデコーダ200が動作する。デコーダ200はアドレス端子による救済モード選択信号PMiをデコードして救済モード選択信号φRMiを発生する。ヒューズ制御回路300は、アドレス端子によるヒューズ選択信号PAiと信号φRMiの論理組合せにより切断可能なヒューズをもち、各ヒューズの状態に従ってプログラムアドレス信号を発生し、通常動作で入力されるアドレス信号Aiをそのプログラムアドレス信号と比較して一致するときに冗長活性信号φREを発生する。メモリの制御端子及びアドレス端子を用いて救済モードを実行できるので、パッケージの状態でも救済可能である。

請求項（抜粋）：

冗長活性信号に従って冗長セルを選択する冗長回路を備えた半導体メモリ装置の欠陥セル救済回路であって、所定信号の入力に応じて救済モード活性化信号を発生する救済モード活性化回路と、該救済モード活性化信号に応答して外部入力の救済モード選択信号をデコードすることにより救済モード指定信号を発生する救済モードデコーダと、該救済モード指定信号及び外部入力のヒューズ選択信号に応じて制御可能なヒューズを有し、該ヒューズにより欠陥セルアドレスを記憶してプログラムアドレス信号を発生すると共に、通常動作で入力されるアドレス信号をそのプログラムアドレス信号と比較して前記冗長活性信号を発生するヒューズ制御回路と、を備えてなることを特徴とする欠陥セル救済回路。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-309094 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-228196
特開平2-236900

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