特許

J-GLOBAL ID：200903041175855134

薄膜の製造方法とその装置

発明者： ローゲル・ヴエルデンウエーバー
出願人/特許権者： フオルシユングスツエントルム・ユーリツヒ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 江崎 光史 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051858
公開番号（公開出願番号）：特開平5-065633
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 逆スパッタリングや帯電作用のような不利な効果が生じない、多量に酸素あるいは他の反応性ガスを含む物質から薄膜を製造する方法とその装置を提供する。【構成】 この発明による方法では、材料をターゲットあるいは陰極材料として使用し、加熱した基板の上にカソードスパッタリングで付着させて薄膜を形成する。上記方法を実行する装置は、ターゲットから出た粒子をカソードスパッタリングで生じたいプラズマの外で、0.1 〜 20 ミリバールの圧力のガスの流れを通して、ターゲットとは空間的に分離している付着させる基板に運ぶ。

請求項（抜粋）：

例えば、ターゲット材料あるいは陰極材料として使用され、薄膜をカソードスパッタリングで加熱基板上に付着させて形成する、酸化高温超伝導体の材料のように、多量の酸素や他の反応性ガスを含む物質から薄膜を製造する方法において、ターゲットから脱離した粒子が、カソードスパッタリング時に発生するプラズマの外で、 0.1〜 20 ミリバールのガスの流れを経由して、付着させるべきターゲットから空間的に分離した基板に運ばれることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA